特許
J-GLOBAL ID：200903062731056898
半導体素子およびその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-218526
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064478
出願日： 1995年08月28日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【目的】 受光素子を有するSi基板にAlGaInP系半導体レーザチップを実装してレーザユニット化が可能な熱抵抗の低いレーザユニットを提供する。【構成】 レーザチップ2をSiより熱伝導率の大きなサブマウントチップ3や熱伝導膜8を介してコム4に接着することにより、レーザチップ2からの発熱を効率よくコム4に伝える。レーザチップ2とコム4との間にSi基板17が介在しないためにレーザチップ2からの発熱を効率よくコム4に伝えることができ、AlGaIn系のような発熱が多い半導体レーザーチップをユニット化することが可能となる。
請求項（抜粋）：
回路素子と発熱を伴う発熱素子とが形成された基板と、前記発熱素子を形成する領域に設けられた孔と、この孔に設けられた熱伝導膜とを備え、前記発熱素子を前記熱伝導膜上に直接または前記基板より熱伝導率の大きな素子を介して形成したことを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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