ナノ多孔質シリカ上への気相堆積方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：社本一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-558547
公開番号（公開出願番号）：特表2002-520813
出願日： 1999年07月01日
公開日（公表日）： 2002年07月09日
要約：

【要約】基板の上にシリカ前駆体の蒸気堆積によってナノ多孔質シリカ誘電フィルムの製造のための方法である。その方法は少なくとも1種のアルコキシ組成物を気化する、基板の上に気化したアルコキシシラン組成物を堆積する、堆積したアルコキシシラン組成物を水蒸気と酸蒸気または塩基蒸気に露出する、露出したアルコキシシラン組成物を乾燥する、それによって比較的高い多孔性、低い誘電定数、基板上にポリマ-組成物を含むシリコンを形成することを提供する。

請求項（抜粋）：

a)少なくとも1種のアルコキシ組成物を気化すること、b)基板の上に気化したアルコキシシラン組成物を堆積すること、c)堆積したアルコキシシラン組成物を水蒸気と酸蒸気または塩基蒸気に晒すすること、d)晒したアルコキシシラン組成物を乾燥する、それによって基板上に比較的高い多孔性、低い誘電定数、シリコン含有ポリマ-組成物を形成すること、を含む基板上にナノ多孔質誘電コーテイングを形成する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 , C23C 16/42

FI (2件)：

H01L 21/316 X , C23C 16/42

Fターム (18件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA16 , 4K030BA29 , 4K030BA61 , 4K030BB11 , 4K030CA04 , 4K030DA02 , 4K030DA09 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 5F058BC02 , 5F058BF27 , 5F058BH02 , 5F058BJ01

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