特許
J-GLOBAL ID：200903062732227610
スパッタリング用ターゲットおよび低屈折膜
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-194206
公開番号（公開出願番号）：特開平7-026371
出願日： 1993年07月09日
公開日（公表日）： 1995年01月27日
要約：
【要約】【構成】Siを主成分とし、Pを含むターゲットであって、In、Zn、Sn、およびGaから選ばれる少なくとも一種の金属のリン化物および/またはIn、Zn、Sn、GaおよびPから選ばれる少なくとも一種を含むスパッタリング用ターゲットおよび該ターゲットを用いて成膜した低屈折率膜。【効果】酸素雰囲気中でのスパッタでも高導電率を有し、大面積にわたり高速で安定的に低屈折率の透明薄膜を提供できる。
請求項（抜粋）：
Siを主成分とし、Pを含むターゲットであって、In、Zn、Sn、およびGaからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属のリン化物および/またはIn、Zn、Sn、GaおよびPからなる群から選ばれる少なくとも一種を含むことを特徴とするスパッタリング用ターゲット。
IPC (2件)：
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