特許
J-GLOBAL ID：200903062741301629
半導体ウェハーの熱処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-318289
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160053
出願日： 1991年12月03日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】筒型熱処理炉で半導体ウェハーを熱処理する場合、初めに炉内に入る部分(前方部)と後から炉内に入る部分(後方部)とでは加熱量に差があるため、炉内の熱容量分布を変えることによってその加熱量を均一化する。【構成】シリコンウェハー1とシリコンウェハー1を載せるボート2とで構成される被熱処理物を覆うと共に炉芯管5内を被熱処理物とは独立に駆動機8により移動可能な熱制御管3を有し、被熱処理物をフォーク6に載せて駆動機7で炉芯管5に入炉させる際は、被熱処理物の前方部を熱制御管3で覆って入炉させ、出炉の際は被熱処理物の後方部を熱制御管3で覆って出炉させることによってシリコンウェハー1の加熱量を制御する。
請求項（抜粋）：
筒型熱処理炉による半導体ウェハーの熱処理方法において、半導体ウェハーと半導体ウェハーを載せるボートとで構成される被熱処理物を覆うと共に前記熱処理炉内を前記被熱処理物とは独立に移動可能な熱制御管を有し、前記被熱処理物の入炉時にはこの被熱処理物の前方部を前記熱制御管で覆って入炉させ、出炉時には被熱処理物の後方部を熱制御管で覆って出炉させることによって半導体ウェハーの加熱量を制御することを特徴とする半導体ウェハーの熱処理方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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