特許

J-GLOBAL ID：200903062741527651

磁性薄膜メモリ、記録方法および再生方法

発明者： 寺本 洋二 ,  平井 匡彦
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-242861
公開番号（公開出願番号）：特開2002-056666
出願日： 2000年08月10日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】 構造が単純であり、所望しないメモリセルに誤って情報が書き込まれることを防止した信頼性の高い磁性薄膜メモリを提供する。【解決手段】 磁性体素子1aaに情報書込み時に、横方向配線3aおよび縦方向配線4aに電流を流すと磁性体素子1aaに合成磁界が発生し磁化の方向が変化する。このとき、バリスタ素子2aaにより磁性体素子1aaに電流が流れないので、他の配線に意図しない電流が流れない。また、情報を読み出すとき、横方向配線3aと縦方向配線4aの間にバリスタ素子2の臨界電圧と磁性体素子1の臨界電圧の和よりも大きな電圧を印加すると磁性体素子1aaに電流が流れ、それによって得られる抵抗値の磁化の方向による差で読み出された情報を判断することができる。このとき、他の磁性体素子1ではバリスタ素子2により意図しない電流が流れない。

請求項（抜粋）：

磁性体の磁化の方向によって情報を記憶する磁性薄膜メモリであって、少なくとも1つの薄膜磁性体素子と少なくとも1つのバリスタ素子とが直列接続された少なくとも1つのメモリセルが、少なくとも1つの横方向配線と少なくとも1つの縦方向配線とからなる単純マトリクス構造の電極配線に接続されてなる構成であることを特徴とする磁性薄膜メモリ。

IPC (5件)：

G11C 11/15 ,  H01F 10/00 ,  H01F 10/06 ,  H01L 43/08 ,  H01L 27/105

FI (6件)：

G11C 11/15 ,  H01F 10/00 ,  H01F 10/06 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 A ,  H01L 27/10 447

Fターム (12件)：

5E049AA01 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA08 ,  5E049BA30 ,  5E049CB02 ,  5E049CB10 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11