特許
J-GLOBAL ID：200903062743871236
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-327207
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160085
出願日： 1991年12月11日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し,半導体基板表面の自然酸化膜の除去,クリーニング,平坦化等の表面処理を行う方法を目的とする。【構成】 半導体装置の製造過程において,反応チャンバ3内に表面処理を施す半導体基板1を配置し, 2種類以上の原料ガスを含むガスを反応チャンバ3内に導入し,2種類以上の原料ガスを反応させて新たな化合物を生成し,反応過程で生じる活性物及び/又は反応の結果生じた化合物を半導体基板1表面に作用させて,表面処理を行うように構成する。また,反応チャンバ3内に導入された前記2種類以上の原料ガスに光を照射することにより反応を促進するように構成する。また,反応チャンバ3内に導入された前記2種類以上の原料ガスに荷電粒子を照射することにより反応を促進するように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造過程において,反応チャンバ(3) 内に表面処理を施す半導体基板(1) を配置し, 2種類以上の原料ガスを含むガスを該反応チャンバ(3) 内に導入し,該2種類以上の原料ガスを反応させて新たな化合物を生成し,反応過程で生じる活性物及び/又は反応の結果生じた化合物を該半導体基板(1) 表面に作用させて,表面処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/304 341
