特許

J-GLOBAL ID：200903062744359679

半導体装置

発明者： 磯崎 常明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-248696
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090597
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】MOS型トランジスタを有する半導体装置の集積度の向上。【構成】ゲートポリシリコン層4の側面に位置するチャンネルポリシリコン層6の縦方向にチャンネルが形成され、ソース拡散層3とドレインポリシリコン層9との間のスイッチング制御をゲートポリシリコン層4の電位で行うことができる。【効果】ソース・ドレイン領域を縦方向に重ねることができるた集積度を上げることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面に設けられた不純物領域と、前記主面上に第1の絶縁膜を介して設けられその側端面が前記不純物領域上に位置する導電体層と、前記導電体層の前記側端面上に設けられた第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に設けられかつ前記不純物領域に接続した半導体層と、前記半導体層の上部に接続された電極とを有し、前記導電体層をゲート電極、前記第2の絶縁膜をゲート絶縁膜、前記半導体層の前記第2の絶縁膜と接する部分をチャンネル領域、前記不純物領域をソースおよびドレインのうちの一方の領域、前記半導体層の前記電極と接する領域近傍をソースおよびドレインのうちの他方の領域としたことを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 29/78 321 X ,  H01L 29/78 321 V

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-161768
  
• 特開平1-228162
  
• 特開昭62-045058