特許
J-GLOBAL ID：200903062746693339
多結晶Si薄膜の堆積法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-051056
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250434
出願日： 1995年03月10日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【目的】 低温プロセスを維持した状態で、薄膜の構造緩和も十分に行うことができ、かつ、原料ガスにドーピングガスを混入させ、n型又はp型の多結晶Si薄膜を作製する場合にも、結晶性の良好な多結晶Si薄膜がえられる堆積法を提供する。【構成】 本発明の多結晶Si薄膜の堆積法は、水素ガスが常に流され、マイクロ波電力が常に印加された状態の成膜空間に隣接された別の空間に、原料ガスとドーピングガスを時間的に分割して導入し、?@前記原料ガスと前記水素ガスが流れている時間(t1)、?A前記ドーピングガスと前記水素ガスが流れている時間(t2)、及び、?B前記水素ガスのみが流れている時間(t3)からなる3種類の時間を繰り返しながら成膜することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
成膜空間に隣接された別の空間で、水素ガスにマイクロ波電力を印加し、予め生成された原子状の水素を用いて、原料ガスとドーピングガスを分解し、膜生成用のラジカルを生起させることによって、前記成膜空間にある基板の表面上に多結晶Si薄膜を形成する堆積法において、前記水素ガスが常に流され、前記マイクロ波電力が常に印加された状態の前記別の空間に、前記原料ガスと前記ドーピングガスを時間的に分割して導入し、?@前記原料ガスと前記水素ガスが流れている時間(t1)、?A前記ドーピングガスと前記水素ガスが流れている時間(t2)、及び、?B前記水素ガスのみが流れている時間(t3)からなる3種類の時間を繰り返しながら成膜することを特徴とする多結晶Si薄膜の堆積法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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