特許
J-GLOBAL ID：200903062747079456
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-202815
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053490
出願日： 1992年07月30日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】高耐圧、低オン抵抗の横型電界効果トランジスタの耐圧安定化を目的とする。【構成】P- 型電界緩和層4のゲート電極7に隣接する部分にP型層13を形成し、P- 型電界緩和層4の電位の安定化をはかり、耐圧を安定化する。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板の表面部に互いに離間してそれぞれ選択的に形成された高濃度第2導電型ソース領域および高濃度第2導電型ドレイン領域と、前記高濃度第2導電型ドレイン領域から前記基板表面部の隣接位置へ横方向に延長した低濃度の第2導電型の延長ドレイン領域と、前記延長ドレイン領域の表面部に選択的に形成された低濃度第1導電型の電界緩和層と、前記電界緩和層に接して前記延長ドレイン領域の表面部に形成された高濃度第1導電型領域と、前記第2導電型ソース領域と前記高濃度第1導電型領域とで挟まれた前記半導体基板の表面をゲート絶縁膜を介して被覆するゲート電極と、前記高濃度第2導電型ソース領域と前記高濃度第1導電型領域とを電気的に接続する手段とを有する高耐圧MOSトランジスタを含むことを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 D
, H01L 29/78 301 S
