特許
J-GLOBAL ID：200903062752905119
導電性薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-216792
公開番号（公開出願番号）：特開平7-070740
出願日： 1993年09月01日
公開日（公表日）： 1995年03月14日
要約：
【要約】【構成】 ターゲット1に電圧を負荷して所定の温度まで上昇させ、ターゲット1の表面6の一方から他方にレーザービーム4を走査し、ターゲット1を傾斜方向Dに所定距離tだけ元の位置からずらし、次にレーザービーム4を他方から一方に走査するといった方法で、ターゲット1から導電性原料Mを順次蒸発させ、基板3の蒸着面に導電性原料Mを蒸着させる。【効果】 導電性原料からなるターゲットに電圧を加えて所定の温度まで加熱しておき、レーザービームをターゲットの表面に照射するので、レーザービームを照射している部分と他の部分との温度差が小さく、従って、ターゲット中に大きな温度勾配が生じるのを防止できるので、原料の組成が経時的に変化してしまうことがなく、良質の導電性薄膜を基板に蒸着することができる。
請求項（抜粋）：
導電性原料からなるターゲットの上方近傍に基板を配置した状態でターゲットに通電し、該ターゲットを所定の温度まで加熱してその温度に保持するとともにターゲットにレーザービームを照射して走査することにより、導電性原料を前記基板の表面に蒸着させることを特徴とする導電性薄膜の形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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