膜形成方法および膜形成装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-353725
公開番号（公開出願番号）：特開2003-155597
出願日： 2001年11月19日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：

【要約】【課題】光電着法または光触媒法を用いた膜形成において、膜形成する基板表面近傍の水素イオン濃度を均一にすることにより、膜厚が均一な優れたパターン成膜が可能な膜形成方法および膜形成装置を提供すること。【解決手段】基板上に導電膜と光起電力機能を有する光半導体薄膜とが順次設けられた膜形成用基板、または導電性基板に光起電力機能を有する光半導体薄膜が設けられた膜形成用基板を用いて、光電着法または光触媒法により膜を形成する方法において、少なくとも光照射する間、前記膜形成用基板に向けて、1μm/秒以上で50mm/秒以下の流速で水系電解液を流し、膜形成用基板表面近傍に水系電解液の液流を形成するか、あるいは膜形成用基板表面近傍の電解液に0.1Hz以上で1MHz以下の振動を与えることを特徴とする膜形成方法

請求項（抜粋）：

基板上に導電膜と光起電力機能を有する光半導体薄膜とが順次設けられた膜形成用基板、または導電性基板に光起電力機能を有する光半導体薄膜が設けられた膜形成用基板を、水素イオン濃度の変化により水性液体に対する溶解性ないし分散性が低下する電着材料を含む水系電解液に、少なくとも前記光半導体薄膜が接触し通電可能なように配置した状態で、前記光半導体薄膜の選択領域に光を照射することにより該選択領域と対向電極との間に電圧を印加し、前記選択領域に電着膜を析出させる工程を有する膜形成方法において、少なくとも光照射する間、前記膜形成用基板に向けて、1μm/秒以上で50mm/秒以下の流速で水系電解液を流し、膜形成用基板表面近傍に水系電解液の液流を形成することを特徴とする膜形成方法。

IPC (5件)：

C25D 13/22 302 , C25D 13/22 , C25D 13/00 309 , G02B 5/20 101 , H01L 27/14

FI (5件)：

C25D 13/22 302 Z , C25D 13/22 Z , C25D 13/00 309 , G02B 5/20 101 , H01L 27/14 D

Fターム (12件)：

2H048BA02 , 2H048BA11 , 2H048BA62 , 2H048BB02 , 2H048BB43 , 2H048BB46 , 4M118AB01 , 4M118BA10 , 4M118EA01 , 4M118EA14 , 4M118EA20 , 4M118GC07

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