特許
J-GLOBAL ID:200903062755885119

フォトレジスト用樹脂

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-074993
公開番号(公開出願番号):特開2000-267284
出願日: 1999年03月19日
公開日(公表日): 2000年09月29日
要約:
【要約】【課題】 従来のフォトレジスト用ベ-ス樹脂に比べて、エキシマ-光に対する透明性に優れ、高解像度・高感度・高耐熱性のフォトレジストの製造を可能にするベ-ス樹脂を提供すること。【解決手段】 式1で示されるフォトレジスト用ベ-ス樹脂。【化1】(式1において、R1 は、水素、メチル基、塩素であり、Xは、式2で示される有機基である。Zは、式3〜6で示される有機基である。mは1-10000の整数である。nは0-10000の整数である。式2において、R2 は、水素、C1-5のアルキル基及びアルコオキシ基、ハロゲン基からなり、同一であっても異なってもよい。また、Yは、水素、t-ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、エトキシエチル基、メチル基、エチル基、ブチル基、アセチル基であり、同一であっても異なってもよい。pは1-3の整数、qは0-3の整数、p+qは1-5の整数である。式3及び4において、R3 は、水素又はメチル基であり、式4において、R4は水素、C1-20の直鎖、分岐、環状又はカゴ型アルキル基、アルコオキシアルキル基である。式5において、R5 は、水素、メチル基、塩素を示す。)
請求項(抜粋):
式1で示されるフォトレジスト用樹脂。【化1】(式1において、R1 は、水素、メチル基、塩素であり、Xは、式2で示される有機基である。Zは、式3〜6で示される有機基である。mは1-10000の整数である。nは0-10000の整数である。式2において、R2 は、水素、C1-5のアルキル基及びアルコオキシ基、ハロゲン基からなり、同一であっても異なってもよい。また、Yは、水素、t-ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、エトキシエチル基、メチル基、エチル基、ブチル基、アセチル基であり、同一であっても異なってもよい。pは1-3の整数、qは0-3の整数、p+qは1-5の整数である。式3及び4において、R3 は、水素又はメチル基であり、式4において、R4は水素、C1-20の直鎖、分岐、環状又はカゴ型アルキル基、アルコオキシアルキル基である。式5において、R5 は、水素、メチル基、塩素を示す。)
IPC (8件):
G03F 7/039 601 ,  C08F 8/00 ,  C08F 36/04 ,  C08F212/08 ,  C08F220/18 ,  C08F220/44 ,  C08F236/04 ,  H01L 21/027
FI (8件):
G03F 7/039 601 ,  C08F 8/00 ,  C08F 36/04 ,  C08F212/08 ,  C08F220/18 ,  C08F220/44 ,  C08F236/04 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (42件):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA10 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AB02Q ,  4J100AB03Q ,  4J100AL03Q ,  4J100AL08Q ,  4J100AM02Q ,  4J100AS02P ,  4J100AS03P ,  4J100AS07P ,  4J100BA02H ,  4J100BA03H ,  4J100BA04H ,  4J100BA05H ,  4J100BA06H ,  4J100BA10H ,  4J100BA13H ,  4J100BA22H ,  4J100BC09Q ,  4J100BC43H ,  4J100BC53H ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100DA22 ,  4J100DA61 ,  4J100DA62 ,  4J100HC09 ,  4J100HC10 ,  4J100HC13 ,  4J100HC20 ,  4J100JA38

前のページに戻る