特許
J-GLOBAL ID:200903062755885119
フォトレジスト用樹脂
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-074993
公開番号(公開出願番号):特開2000-267284
出願日: 1999年03月19日
公開日(公表日): 2000年09月29日
要約:
【要約】【課題】 従来のフォトレジスト用ベ-ス樹脂に比べて、エキシマ-光に対する透明性に優れ、高解像度・高感度・高耐熱性のフォトレジストの製造を可能にするベ-ス樹脂を提供すること。【解決手段】 式1で示されるフォトレジスト用ベ-ス樹脂。【化1】(式1において、R1 は、水素、メチル基、塩素であり、Xは、式2で示される有機基である。Zは、式3〜6で示される有機基である。mは1-10000の整数である。nは0-10000の整数である。式2において、R2 は、水素、C1-5のアルキル基及びアルコオキシ基、ハロゲン基からなり、同一であっても異なってもよい。また、Yは、水素、t-ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、エトキシエチル基、メチル基、エチル基、ブチル基、アセチル基であり、同一であっても異なってもよい。pは1-3の整数、qは0-3の整数、p+qは1-5の整数である。式3及び4において、R3 は、水素又はメチル基であり、式4において、R4、は水素、C1-20の直鎖、分岐、環状又はカゴ型アルキル基、アルコオキシアルキル基である。式5において、R5 は、水素、メチル基、塩素を示す。)
請求項(抜粋):
式1で示されるフォトレジスト用樹脂。【化1】(式1において、R1 は、水素、メチル基、塩素であり、Xは、式2で示される有機基である。Zは、式3〜6で示される有機基である。mは1-10000の整数である。nは0-10000の整数である。式2において、R2 は、水素、C1-5のアルキル基及びアルコオキシ基、ハロゲン基からなり、同一であっても異なってもよい。また、Yは、水素、t-ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、エトキシエチル基、メチル基、エチル基、ブチル基、アセチル基であり、同一であっても異なってもよい。pは1-3の整数、qは0-3の整数、p+qは1-5の整数である。式3及び4において、R3 は、水素又はメチル基であり、式4において、R4、は水素、C1-20の直鎖、分岐、環状又はカゴ型アルキル基、アルコオキシアルキル基である。式5において、R5 は、水素、メチル基、塩素を示す。)
IPC (8件):
G03F 7/039 601
, C08F 8/00
, C08F 36/04
, C08F212/08
, C08F220/18
, C08F220/44
, C08F236/04
, H01L 21/027
FI (8件):
G03F 7/039 601
, C08F 8/00
, C08F 36/04
, C08F212/08
, C08F220/18
, C08F220/44
, C08F236/04
, H01L 21/30 502 R
Fターム (42件):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA10
, 2H025AB16
, 2H025AB17
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 4J100AB02Q
, 4J100AB03Q
, 4J100AL03Q
, 4J100AL08Q
, 4J100AM02Q
, 4J100AS02P
, 4J100AS03P
, 4J100AS07P
, 4J100BA02H
, 4J100BA03H
, 4J100BA04H
, 4J100BA05H
, 4J100BA06H
, 4J100BA10H
, 4J100BA13H
, 4J100BA22H
, 4J100BC09Q
, 4J100BC43H
, 4J100BC53H
, 4J100CA01
, 4J100CA04
, 4J100DA22
, 4J100DA61
, 4J100DA62
, 4J100HC09
, 4J100HC10
, 4J100HC13
, 4J100HC20
, 4J100JA38
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