特許

J-GLOBAL ID：200903062763730809

薄膜コンデンサおよび基板

発明者： 厚主 成生
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-240911
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077263
出願日： 1998年08月26日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】実装が容易でかつ積層化が容易な低インダクタンス構造を有する薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】誘電体層1の下面に第1電極層2を、上面に第2電極層3を形成してなる容量素子A、B、C、Dを所定間隔を置いて複数並置するとともに、該複数の容量素子A、B、C、Dの間に、第1電極層2同士および第2電極層3同士を接続する端子電極層4、5をそれぞれ設け、さらに端子電極層4、5に外部端子7を設けてなるものである。

請求項（抜粋）：

誘電体層の下面に第1電極層を、上面に第2電極層を形成してなる容量素子を所定間隔を置いて複数並置するとともに、該複数の容量素子の間に、前記第1電極層同士および前記第2電極層同士を接続する端子電極層をそれぞれ設け、さらに前記端子電極層に外部端子を設けてなることを特徴とする薄膜コンデンサ。

IPC (3件)：

H01G 4/33 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C

Fターム (23件)：

5E082AB01 ,  5E082AB03 ,  5E082BB02 ,  5E082BB05 ,  5E082BC39 ,  5E082CC02 ,  5E082CC03 ,  5E082EE17 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG42 ,  5E082FG46 ,  5E082FG54 ,  5E082JJ02 ,  5E082JJ03 ,  5F038AC04 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AZ06 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-239168
  
• 特開平3-215915