SOI基板の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：高田守 (外2名) , 大岩増雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-062973
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144761
出願日： 1991年03月27日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】容易なプロセスでSOI層の結晶性を改善することのできるSOI基板の製造方法を得る。【構成】 SOI基板作製におけるイオン注入後の熱処理工程を、該熱処理の高温度領域に至る中間段階まで昇温し、上記SOI層中に酸素析出物9を形成し、さらに、上記酸素析出物が溶解しない昇温速度で、上記中間段階の温度から上記高温度領域に昇温して行なうようにした。【効果】酸素析出物のピンニング効果によって転位が表面へ上昇するのを防止でき、また、高温度領域に昇温する際の格子間Siの単位時間当たりの発生量を抑制でき、SOI層中の転位密度を大幅に低減できる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板に比較的高い電圧で酸素イオンを加速してイオン注入して、その上にSOI(Silicon on Insulator)層を残すように上記シリコン基板内に絶縁膜を形成した後、高温熱処理を行なって上記SOI層の結晶性を回復するSIMOX(Separation by IMplanted OXygen)法を用いて絶縁膜上に単結晶シリコン層を有するSOI基板を製造する方法において、上記イオン注入後、上記高温熱処理を行なう温度に至る中間段階まで基板を昇温し、上記SOI層中に酸素析出物を形成する工程と、上記酸素析出物が溶解しない昇温速度で、上記中間段階の温度から上記高温熱処理を行なう温度に基板を昇温する工程と、上記高温熱処理を行なう温度で基板を一定時間保持する工程とを含むことを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/265 , H01L 21/20 , H01L 21/76 , H01L 27/00 301

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭63-000136
特開昭63-027063
特開平2-237033

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