特許

J-GLOBAL ID：200903062769879120

半導体装置

発明者： 萩原 洋右
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-192117
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007703
出願日： 2001年06月26日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】1つのチップ10の主表面側に、少なくとも1つのpn接合を有する複数個の半導体デバイス20が形成され、半導体デバイス20が配線30により適宜接続されている。チップ10の主表面側には、半導体デバイス20を覆い外部からの光を遮光する遮光膜50が形成されている。チップ10の最表面には遮光膜50などを覆う保護膜60が形成されている。遮光膜50において半導体デバイス20が形成されていない部分に、温度変化に起因して層間絶縁膜40に生じる熱応力を緩和するためのスリット51を形成している。遮光膜50に設けたスリット51は、基板1の厚み方向において半導体デバイス20のpn接合に重ならない部位に形成されている。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つのpn接合を有し遮光する必要のある半導体デバイスが主表面側に形成された基板と、基板の主表面側において前記半導体デバイスを覆うように形成され外部から前記半導体デバイスへの光を遮光する遮光膜と、遮光膜と前記半導体デバイスの配線とを絶縁する層間絶縁膜とを備え、遮光膜には、層間絶縁膜に生じる熱応力を緩和するためのスリットが設けられてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 27/15 ,  H01L 29/78 ,  H01L 31/02

FI (4件)：

H01L 27/15 Z ,  H01L 21/88 S ,  H01L 31/02 B ,  H01L 29/78 301 N

Fターム (26件)：

5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033MM22 ,  5F033RR04 ,  5F033RR14 ,  5F033RR22 ,  5F033UU04 ,  5F033VV01 ,  5F033XX17 ,  5F033XX19 ,  5F033XX32 ,  5F088BA10 ,  5F088BA20 ,  5F088BB03 ,  5F088HA10 ,  5F088HA20 ,  5F140AA08 ,  5F140BA01 ,  5F140CC02 ,  5F140CC03 ,  5F140CC05 ,  5F140CC10