半導体リングレーザ

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：光石俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-308906
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118324
出願日： 2000年10月10日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】リングの半径を小さくしても動作可能で、なおかつ容易に単一横モード制御ができるようにする。【解決手段】半導体リングレーザは、活性領域を、直線状の埋め込みヘテロ構造やリッジ導波路構造の埋め込み活性領域1としている。このため素子の信頼性を確保することができる。リングを形成する導波路4,5は、横方向の光閉じ込めが非常に強い半導体ハイメサ導波路となっているため、曲げ半径を小さくしても放射損失が殆ど発生しない。かくて、リング半径を小さくしてもレーザとしての動作が可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体リングレーザにおいて、少なくとも曲げ導波路部分をパッシブな半導体ハイメサ導波路で構成したことを特徴とする半導体リングレーザ。

IPC (3件)：

H01S 5/10 , H01S 5/065 , H01S 5/50 630

FI (3件)：

H01S 5/10 , H01S 5/065 , H01S 5/50 630

Fターム (8件)：

5F073AA07 , 5F073AA22 , 5F073AA45 , 5F073AA66 , 5F073AA74 , 5F073AB21 , 5F073AB25 , 5F073CA12

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