特許

J-GLOBAL ID：200903062771183531

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 植田 慶一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-121752
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316127
出願日： 1995年05月19日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】優れた反射防止特性を有した反射防止膜を提供する。【構成】シリコン基板1上にゲート酸化膜2、ポリシリコン膜3、タングステンシリサイド膜4、SiO2 膜5を順次形成する。スパッタ法を用い、SiO2 膜5上に反射防止膜としてのSiO膜31(膜厚;約1000Å)を形成する。尚、スパッタターゲットにはSiOを使用する。SiO膜31上にレジスト膜7,22を塗布し、フォトリソグラフィ技術によってレジストパターン8,23を形成する。この露光工程において、SiO膜31は露光光に対する反射防止膜として機能する。RIE法を用い、レジストパターン8,23をエッチング用マスクとしてSiO膜31およびSiO2 膜5をエッチングする。RIE法を用い、SiO膜31およびSiO2 膜5をエッチング用マスクとしてタングステンシリサイド膜4およびポリシリコン膜3をエッチングし、各膜3,4からなるゲート電極9を形成する。

請求項（抜粋）：

少なくともSi-Si結合を含む酸化シリコンからなる反射防止膜を備えた半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3065

FI (5件)：

H01L 21/30 574 ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/285 301 T ,  H01L 21/302 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-144916
  
• 反射防止膜の条件決定方法、反射防止膜の形成方法、新規な反射防止膜を用いたレジストパターン形成方法、及び薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-359750   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-048269   出願人：ソニー株式会社
• 特開平2-144916