特許
J-GLOBAL ID:200903062772500883

酸化物超電導薄膜およびその製造方法ならびに酸化物超電導線材の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-016683
公開番号(公開出願番号):特開平7-226114
出願日: 1994年02月10日
公開日(公表日): 1995年08月22日
要約:
【要約】【目的】 単結晶性が強く、超電導特性に優れた、酸化物超電導薄膜およびその製造方法ならびに酸化物超電導線材の製造方法を提供する。【構成】 基板1と、基板1上に形成される第1の中間層13と、第1の中間層13上に形成される第2の中間層5と、第2の中間層5上に形成される酸化物超電導膜6とを備え、第1の中間層13は、周期的に配列された凹みを有する。
請求項(抜粋):
基板と、前記基板上に形成される第1の中間層と、前記第1の中間層上に形成される第2の中間層と、前記第2の中間層上に形成される酸化物超電導膜とを備え、前記第1および第2の中間層のいずれか一方は、周期的に配列された凹みを有する、酸化物超電導薄膜。
IPC (7件):
H01B 12/06 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  C23C 14/08 ZAA ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA

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