特許
J-GLOBAL ID:200903062773607347

マイクロエレクトロニクス製造装置用プログラマブル超クリーン電磁サブストレート回転装置及び方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 真田 雄造 (外2名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-505985
公開番号(公開出願番号):特表2001-524259
出願日: 1996年07月10日
公開日(公表日): 2001年11月27日
要約:
【要約】マイクロエレクトロニクス製造装置におけるウエハ回転用の装置と方法が示されている。本発明は、複数個の電磁アクチュエータコイル(27)を有する外部ステータアセンブリ(29)と、複数個の多極永久磁石または強磁性結合片を有する内部ロータアセンブリ(24)とからなる。ロータアセンブリ(24)はプロセスチャンバ内において半導体ウエハまたは他のサブストレートを支持する。ステータアセンブリ(29)の電磁アクチュエータコイル(27)は、多相の制御された周波数の電流の供給により、前記アクチュエータコイル(27)の回りに磁界を形成し、ロータアセンブリ(24)の多極永久磁石または強磁性結合片(26)にロータアセンブリを回転させるような回転力を付与するように作用させ、これにより、プロセスチャンバ内において半導体ウエハまたは他のサブストレート(30)を回転させる。
請求項(抜粋):
ステータ支持構造と、このステータ支持構造と結合された複数個の電磁アクチュエータコイルとからなるステータアセンブリであって、前記電磁アクチュエータコイルは電流を受け取ることにより前記アクチュエータコイルの回りに時間的に変化する磁界を形成するように動作できるようにして成るステータアセンブリと、 回転可能に形成されかつサブストレートを支持するロータ部と、このロータ部を収容するロータアセンブリハウジングと、前記ロータ部の上に配設された複数個の多極永久磁石とからなるロータアセンブリであって、前記多極永久磁石が前記アクチュエータコイルの磁界との相互作用により前記ロータアセンブリおよび前記サブストレートを回転させる回転力を付与するように動作できる磁界を有するようにして成るロータアセンブリと、によって構成されたデバイス製造装置におけるサブストレート回転装置。
IPC (4件):
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/68 ,  H02K 21/14
FI (4件):
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 G ,  H01L 21/68 N ,  H02K 21/14 M

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