特許

J-GLOBAL ID：200903062780484552

半導体装置およびその作製方法

発明者： 早川 昌彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-148560
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335899
出願日： 1994年06月07日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 結晶性珪素膜を2層に分けて形成することにより、低温プロセスの熱結晶化で、かつニッケル元素を含有しない結晶性珪素膜を得る。【構成】 下地珪素膜102上に形成された非晶質珪素膜103上に、ニッケル含有層104を形成し、550°C、4時間の加熱処理をおこない結晶性珪素膜105を得る。その後、得られた結晶性珪素膜105上に非晶質珪素膜を形成する。そして、再び、550°C、4時間の加熱処理をおこない結晶性珪素膜106を得ることができる。そしてこの結晶性珪素膜用いることで、高い特性を有する半導体装置を得ることができる。

請求項（抜粋）：

結晶性を有する珪素膜を利用して活性層が絶縁表面を有する基板上に構成された半導体装置であって、前記活性層は、2層構造となっており、前記2層構造の、1層目の結晶性を有する珪素膜は、微量のニッケル元素を含み、2層目の結晶性を有する珪素膜は、実質的にニッケル元素を含んでいないことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/225 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-236310
  
• 特開平4-196311
  
• 特開平2-140915