特許

J-GLOBAL ID：200903062783254728

改善された酸化物エッチング

発明者： ロバート ウィリアム クリスキュオロ ,  チャールズ ウォルター ピアス
出願人/特許権者： アギア システムズ ガーディアン コーポレーション
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-205755
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083797
出願日： 2001年07月06日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、改善された酸化物エッチングを提供する。【解決手段】 本発明は二酸化シリコンのエッチング方法に関する。この方法は、ドープ二酸化シリコン層を形成するために、二酸化シリコンの層をドーピングし、ドープ二酸化シリコンの層をリン酸でエッチングすることを含む。

請求項（抜粋）：

ドープ二酸化シリコンの層を形成するために、二酸化シリコンを含む基板をドーピングする工程;及びリン酸でドープ二酸化シリコン層をエッチングする工程を含む二酸化シリコンのエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/76

FI (3件)：

H01L 21/306 T ,  H01L 21/94 A ,  H01L 21/76 M

Fターム (17件)：

4M108AA20 ,  4M108AB09 ,  4M108AB13 ,  4M108AC53 ,  4M108AC54 ,  5F032AA13 ,  5F032DA24 ,  5F032DA34 ,  5F032DA43 ,  5F032DA45 ,  5F032DA53 ,  5F032DA74 ,  5F043AA31 ,  5F043AA35 ,  5F043BB22 ,  5F043BB23 ,  5F043DD17