特許
J-GLOBAL ID：200903062784421300
不揮発性半導体記憶装置の使用方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-119859
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333397
出願日： 1993年05月21日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 誤書込みを防止しつつ、非選択セルが弱い書込み状態となること防止する。【構成】 ワードラインW1に-7V、ビットラインB1およびワードラインW2に5V、その他に0Vを印加する。非選択セルC12については、コントロールゲート電極14に5Vが印加されている為、電子がドレイン3に引戻されない。また、ソースラインSに0Vを印加するので、サイドウォール23は接地電位となり、チャネル領域17は非導通状態である。したがって、セルC12のドレイン3とソース4間は、非導通状態となり、他の非選択セルC21のソース4へビットラインB1に印加している電圧が転送されることがない。これにより、非選択セルC12が弱い書込み状態となることを防止する。
請求項（抜粋）：
A)a1)〜a6)を備えた単一メモリセルをマトリックス状に配置し、a1)半導体基板の第1領域、a2)前記第1領域と離れた位置に形成された第2領域、a3)前記第2領域と隣接して前記第1領域との間に形成された電路形成可能領域、a4)前記電路形成可能領域の上方に設けられた浮遊型電極、a5)前記浮遊型電極に間接的に電圧を印加することにより、前記浮遊型電極に電子を注入又は前記浮遊型電極から電子を引抜く制御電極、a6)前記電路形成可能領域と前記第1領域との間に直列に設けられ、第1領域用の電極に所定の電圧を印加することにより、開閉状態が変化するスイッチング手段、B)同一行に配置された単一メモリセルの第2領域を接続する第2領域ラインを各行ごとに設け、C)同一列に配置された単一メモリセルの制御電極を接続する制御電極ラインを各列ごとに設け、D)全ての単一メモリセルの第1領域を接続する第1領域ラインを設け、E)特定の単一メモリセルの前記浮遊型電極から電子を引抜く場合には、e1)電子を引抜きたくない単一メモリセルが接続されている第2領域ラインを基準電位として、e2)電子を引抜きたい単一メモリセルが接続されている制御電極ラインを、負電位とし、e3)電子を引抜きたい単一メモリセルが接続されている第2領域ラインを、正電位とし、e4)電子を引抜きたくない単一メモリセルが接続されている制御電極ラインを、正電位とし、e5)前記第1領域ラインに、前記スイッチング手段を開状態とする電圧を印加すること、を特徴とする不揮発性半導体記憶装置の使用方法。
IPC (4件)：
G11C 16/06
, H01L 27/10 481
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 309 A
, G11C 17/00 309 C
, H01L 29/78 371
