基板洗浄方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-094985
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291098
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】難溶性レジスト・パターンのウェット剥離や基板洗浄の効率を改善する。【構成】 H2 SO4 とH2 O2 の両液の混合により生成する混合熱を、反応促進に有効利用する。すなわち、H2 SO4 とH2 O2 とをそれぞれ別のノズル7,4から吐出させ、ノズルの至近直下の混合ポイントPにて両液を混合し、H2SO4 -H2 O2 混合液8(いわゆる硫酸過水)を調製する。この混合液8を回転させたフォトマスク基板13の中心近傍に落下させ、遠心力により基板面に展開させる。H2 SO4 とH2 O2 との流量比、混合ポイントPの高さ、基板の回転数を制御することにより、基板面上の混合液8の温度分布を最小に抑え、均一な洗浄を行うことができる。これにより、電子線リソグラフィ等に用いられる難溶性のクロロメチルスチレン系レジスト材料等のウェット剥離も可能となる。

請求項（抜粋）：

複数種類の薬液が混合されてなる混合洗浄液を基板に接触させることにより該基板を洗浄する基板洗浄方法において、前記混合洗浄液はそれぞれ独立した供給口より吐出された各薬液を前記基板面に到達させるまでの間に混合することにより調製され、かつこの混合時に生成する混合熱により昇温されることを特徴とする基板洗浄方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/304 , H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 361 R , H01L 21/30 361 L

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平4-246827
特開昭60-173840
特開昭61-105847

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審査官引用 (2件)

特開平4-246827
特開昭60-173840

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