特許
J-GLOBAL ID：200903062787712275
メモリ素子、およびメモリ素子内のバイアス付与方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-196290
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028197
出願日： 2000年06月26日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：
【要約】【課題】 特にフラッシュ型の不揮発性のメモリ素子、およびメモリ素子内のバイアス付与方法に関し、より小さな領域のバルクによってメモリ素子内の複数のメモリ・セクタにバイアスを付与することを目的とする。【解決手段】 各々が複数のメモリ・セル1を含む複数のメモリ・セクタ15を有するメモリ素子21が、階層的なセクタ・デコーディング手段を備える。バイアスライン28〜32の複数のグループが、各々のセクタ行について一つ提供され、セクタ行に平行に延びる。複数のセクタ切り換え段35の各々が、対応するメモリ・セクタとバイアスラインの対応するグループとの間に接続される。同じセクタ列に配置されたメモリ・セクタに接続されるセクタ切り換え段は、セクタ列に平行に延びる制御ライン40に供給される同じ制御信号S0、S1によって制御される。
請求項（抜粋）：
各々が複数のメモリ・セル(1)を含む複数のメモリ・セクタ(15)を有するメモリ素子(21)であって、階層的なセクタ・デコーディング手段を備えることを特徴とするメモリ素子。
FI (3件)：
G11C 17/00 633 A
, G11C 17/00 632 D
, G11C 17/00 634 A
