特許

J-GLOBAL ID：200903062792778101

光学薄膜の製造方法および光学薄膜

発明者： 渡邉 正 ,  川俣 健 ,  三田村 宣明 ,  池田 浩 ,  豊原 延好 ,  浦田 憲和 ,  生水 利明
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 奈良 武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-102419
公開番号（公開出願番号）：特開平9-291358
出願日： 1996年04月24日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】 事実上、スパッタリング法により吸収のないMgF2 薄膜を製造する。【解決手段】 まず、ガラス基板上へSiO2 を蒸着する。ターゲット材料8はガラス製の皿に載せられてマグネトロンスパッタリングカソード7上に設置されている。マグネトロンスパッタリングカソード7にRF電圧をかけてプラズマを発生させ、ガラス基板11にターゲット材料8をスパッタリングする。9はターゲットシールドである。10はシャッターである。

請求項（抜粋）：

基板の表面にSiO2 ,ZrO2 およびAl2 O3 のうちの少なくとも一つを含む酸化物薄膜を形成し、この酸化物薄膜上にスパッタリング法によりMgF2 薄膜を形成することを特徴とする光学薄膜の製造方法。

IPC (7件)：

C23C 14/34 ,  B32B 9/00 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/08 ,  G02B 1/11 ,  G02B 5/08 ,  G02B 5/26

FI (7件)：

C23C 14/34 B ,  B32B 9/00 A ,  C23C 14/06 G ,  C23C 14/08 N ,  G02B 5/08 A ,  G02B 5/26 ,  G02B 1/10 A