特許
J-GLOBAL ID：200903062798917472
強誘電体層を有する半導体素子及びその製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曽々木 太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-320884
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136426
出願日： 1991年11月09日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】 結晶性の良い強誘電体層が形成されると共に、強誘電体層の構成元素のイオンが半導体基板中に拡散することが少ないMFS型半導体素子及びその製法を提供する。【構成】 本発明のMFS型半導体素子は、基板1としてSiC基板を用いていることを特徴としている。また本発明の製法は、Si基板14にSiC層15を成膜した後、強誘電体層16及びゲート電極17を成膜することを特徴としている。
請求項（抜粋）：
SiCからなる半導体基板と、該半導体基板の表層部に所定の間隔をおいて形成された不純物拡散層と、前記半導体基板上で前記不純物拡散層間に橋架された強誘電体層と、該強誘電体層上に積層された電極とからなることを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
