特許
J-GLOBAL ID：200903062807036050
シリサイドを利用したスイッチング素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-031714
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335645
出願日： 1998年02月13日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 シリサイドを利用したスイッチング素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 スイッチング素子は酸化膜パターン、導電膜パターン、第1シリサイド膜パターン及び絶縁膜パターンを含めて積層されたゲート構造を上面に備えている基板を含む。前記積層されたゲート構造の側壁にはスペーサが形成されており、前記積層されたゲート構造の幅ほど相互離れて不純物がドープされた領域が前記基板内に形成されている。また前記不純物がドープされた領域の上には第2シリサイド膜パターンが形成されている。これによりゲートとソース/ドレーン領域間の短絡を効果的に防止できるようにする絶縁膜パターンによりシリサイドを利用したスイッチング素子の電気的特性を改善させる。
請求項（抜粋）：
酸化膜パターン、導電膜パターン、第1シリサイド膜パターン及び絶縁膜パターンを含める上面に積層されたゲート構造を備えている基板と、前記積層されたゲート構造の側壁に形成されたスペーサと、前記積層されたゲート構造の幅ほど相互に離れて前記基板内に形成されている不純物がドープされた領域と、前記不純物がドープされた領域の上に形成された第2シリサイド膜パターンとを含むことを特徴とするスイッチング素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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