特許
J-GLOBAL ID：200903062811257363
位相差半導体検査装置および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-316250
公開番号（公開出願番号）：特開平7-167793
出願日： 1993年12月16日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】 半導体結晶ウエハ内部に存在する微小欠陥の3次元分布を、非破壊で、かつ、高感度で検出可能な半導体検査装置を実現する。【構成】 半導体を透過する波長の光12を半導体試料41に集光し、透過光13に位相板52により位相差を与え、かつ、ピンホール33上に集光し、光検出器53により信号を検出する。ここで半導体試料41は走査機構51により走査可能であり、得られた信号を用いて表示装置57上に画像表示をする。また、半導体試料からの反射光を共焦点光学系により検出し、試料41の検査深さ位置の測定を行なう。
請求項（抜粋）：
半導体内部を透過する波長の光を発生する光源と、該光を集光する光学系と、集光された位置に半導体試料を保持し移動する試料台と、該試料を透過した光に位相変化を与える位相板と、ピンホールと、該位相板を透過した光を該ピンホール上に集光する光学系と、上記ピンホールからの透過光を検出する光検出器と、該光検出器からの信号を処理する電気回路と、上記半導体試料を保持する試料台を機械的に走査移動させる走査機構とを有することを特徴とする位相差半導体検査装置。
IPC (3件)：
G01N 21/88
, G02B 21/00
, H01L 21/66
