特許
J-GLOBAL ID：200903062816964645
積層セラミツクコンデンサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-308153
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144667
出願日： 1991年11月25日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】積層セラミックコンデンサの製造方法において、焼成時の雰囲気コントロールを容易にし、試料を一度に大量焼成し、製造コストの低減を図ることを目的とする。【構成】少なくとも複数の誘導体セラミック層とそれを挾む卑金属内部電極層を同時焼成する積層セラミックコンデンサの製造方法において、前記誘電体セラミック層および卑金属内部電極層中の有機成分を、炭素に対して充分な温度と雰囲気で熱処理することにより除去し、その後積層セラミックコンデンサの未焼結体を、電気炉内が卑金属内部電極の平衡酸素分圧以下の酸素濃度になるように維持した真空中で焼成する積層セラミックコンデンサの製造方法。
請求項（抜粋）：
少なくとも複数の誘導体セラミック層とそれを挾む卑金属内部電極層を同時焼成する積層セラミックコンデンサの製造方法において、前記誘電体セラミック層および卑金属内部電極層中の有機成分を、炭素に対して充分な温度と雰囲気で熱処理することにより除去し、その後積層セラミックコンデンサの未焼結体を、電気炉内が卑金属内部電極の平衡酸素分圧以下の酸素濃度になるように維持した真空中で焼成することを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
IPC (2件)：
H01G 4/12 364
, H01G 4/30 311
