特許

J-GLOBAL ID：200903062819259896

感光剤組成物及びこれを利用したパターン形成方法

発明者： 鄭 載昌 ,  李 晟求
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (2件)： 荒船 博司 ,  荒船 良男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-278903
公開番号（公開出願番号）：特開2008-170952
出願日： 2007年10月26日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：

【課題】リソグラフィ工程の解像限界を越える微細な半導体パターンの形成。【解決手段】ベース樹脂、ポリ[(メト)アクリル酸/3,3-ジメトキシプロペン]、光酸発生剤、有機塩基及び有機溶媒を含む感光剤組成物、及び前記感光剤組成物を利用して行なわれる二重パターニング工程により形成される半導体素子の微細パターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ベース樹脂、(メト)アクリル酸反復単位及び3,3-ジメトキシプロペン反復単位を含む共重合体、光酸発生剤、有機塩基及び有機溶媒を含む感光剤組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/40 521 ,  G03F7/40 501 ,  H01L21/30 502R

Fターム (22件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BG00 ,  2H025CB13 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA04 ,  2H025FA17 ,  2H025FA29 ,  2H025FA39 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096EA02 ,  2H096EA12 ,  2H096GA08 ,  2H096HA01 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ-ン形成方法、及び、半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-338659   出願人：現代電子産業株式会社
• 水溶性ネガ型フォトレジスト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-153316   出願人：タイワンセミコンダクターマニュファクチャリングカンパニー, クラリアントインターナショナルリミテッド
• フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ-ンの形成方法、及び半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-371158   出願人：現代電子産業株式会社
• フォトレジストパターン形成方法及び半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-133599   出願人：現代電子産業株式会社