特許

J-GLOBAL ID：200903062820789351

シリサイド凝集ヒューズ装置

発明者： ボー,マーク・ティ ,  アラビ,モーセン
出願人/特許権者： インテル・コーポレーション
代理人 (1件)： 山川 政樹 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-513759
公開番号（公開出願番号）：特表平11-512879
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1999年11月02日
要約：

【要約】任意の電気接続を形成するために半導体基板(107)上に配設された可融リンク装置(100)。本発明の可融リンク装置はシリサイド層(104)と、シリサイド層の下方に形成されたポリシリコン層(105)とを含み、第1の未プログラム抵抗を有する。シリサイド層は、シリサイド層自体を横切って所定のプログラム電位が印加されたことに応答して凝集して電気的切断部を形成し、それによって、可融リンク装置の抵抗を第2のプログラム済み抵抗に選択的に増大することができる。

請求項（抜粋）：

任意の電気接続を形成する半導体基板上に配設された可融リンク装置であって、 第1の抵抗を有するポリシリコン層と、 ポリシリコン層上に形成され、第1の抵抗よりも低い第2の抵抗を有し、所定のプログラム電位がシリサイド層を両側の間に印加されたことに応答して凝集して電気的切断部を形成し、それによって、可融リンク装置の抵抗を選択的に増大することができるシリサイド層とを備えることを特徴とする可融リンク装置。