特許

J-GLOBAL ID：200903062827810364

イオン注入装置

発明者： 福島 英樹
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
代理人 (1件)： 江原 省吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-320829
公開番号（公開出願番号）：特開平5-159738
出願日： 1991年12月05日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】 機械的に脆い半導体ウェーハを欠けや割れが生じることなく保持し得るイオン注入装置を提供することにある。【構成】 機械的に脆い半導体ウェーハ(12)をホルダ(11)によりイオン源に向けて保持し、そのイオン源から発せられた不純物イオンを質量分離及び加速した上で、ホルダ(11)の回転及び上下動によってイオンビーム(15)をパラレルスキャンしながら半導体ウェーハ(12)の処理面(13)に打ち込んで不純物をドーピングする装置であって、中空円筒形状とし、その軸方向(L)をイオンビーム照射方向(S)に対して傾斜させた状態で内周壁面(14)に半導体ウェーハ(12)を回転による遠心力(F)でもって保持するホルダ(11)を具備する。

請求項（抜粋）：

機械的に脆い半導体ウェーハを、ホルダによりイオン源に向けて保持し、イオン源から発せられた不純物イオンを質量分離及び加速した上で、ホルダの回転及び上下動によってイオンビームをパラレルスキャンしながら半導体ウェーハの処理面に打ち込んで、不純物をドーピングする装置であって、中空円筒形状を有し、軸方向をイオンビーム照射方向に対して傾斜させた状態で内周壁面に半導体ウェーハを回転による遠心力でもって保持するホルダを具備したことを特徴とするイオン注入装置。

IPC (4件)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  C23C 14/50 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 21/265 E ,  H01L 21/265 C