特許
J-GLOBAL ID：200903062842995850
光起電力型HgCdTe赤外線検出器の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
煤孫 耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-270310
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111539
出願日： 1994年10月07日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：
【要約】【目的】 光起電力型HgCdTe赤外線検出器の製造方法において、空間的素子分離を完全に行い、1つのドーピング源のみにより、同時にp型・n型層を形成できる製造方法を提供する。【構成】 HgCdTe層を形成する基板として2種類の方位面が現われた非平坦基板(1)を用いる。GaAs基板(1)、バッファ層(2)の上の<100>方向を矢印で示した面にはp型HgCdTe層(3)、また矢印で示した<111>B方向の面にはn型HgCdTe層(4)が形成されている。そして保護表面膜(5)、p型電極(6)が形成されている。このように、方位面が異なると、外因性不純物の取り込み量と電気活性率が異なる。ドーピング効率の差の大きい面方位同士が表われてた非平坦基板を用いれば、1種類の不純物ドーピングによりp型とn型を同時に形成できるものである。
請求項（抜粋）：
光起電力型HgCdTe赤外線検出器の製造方法において、HgCdTe層を形成する基板の表面が2種類の結晶方位面を有する非平坦基板を用いることを特徴とする光起電力型HgCdTe赤外線検出器の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 31/04 E
