特許

J-GLOBAL ID：200903062846952765

成膜方法

発明者： 沖田 裕之 ,  外崎 峰広
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-145452
公開番号（公開出願番号）：特開平11-335818
出願日： 1998年05月27日
公開日（公表日）： 1999年12月07日
要約：

【要約】【課題】蒸着材料を酸化させず高純度な状態で保持させ、良質で生産性の高い成膜方法を提供すること。【解決手段】真空雰囲気の誘導部12内のアーク放電用カソード15及びAlカソード16と、対向配置したアノード17とでアーク放電を行い、Alイオン19を電磁コイル18で基体21へ導き、この基体21近傍で酸素供給管13から供給する酸素にAlイオン19を反応させて基体21へ蒸着し、Al2 O3 膜を形成する。

請求項（抜粋）：

金属材料を陰極として、高真空中でアーク放電を起こさせ、前記金属材料から発生した金属イオンを負電位の基体表面に導き、前記基体近傍に形成した酸素雰囲気下で、前記金属イオンを前記基体表面に付着させて、前記基体表面に実質的に前記金属材料の酸化物からなる膜を形成する成膜方法。