特許
J-GLOBAL ID：200903062851446720
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-008640
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050928
出願日： 1997年01月21日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】はんだボールの形成、はんだ強度不足、位置ずれ等のはんだ付け不良の発生の防止を目的とする。【解決手段】半導体装置は、金属ベース2と、上下両面にそれぞれ上部電極7及び下部電極4を有する絶縁基板3と、上記下部電極と上記金属ベースとの間に介設されたはんだ膜5と、上記絶縁基板3の上面に設けられ且つ上記上部電極7に電気的に接続された半導体素子6とを具備し、上記金属ベース2には上記下部電極4に当接して上記絶縁基板と上記金属ベースとの距離を一定に保持する位置に突起12が設けられているものである。
請求項（抜粋）：
金属ベースと、一方の面に上部電極が設けられ且つ他方の面に下部電極が設けられた絶縁基板と、上記下部電極と上記金属ベースとの間に介設されたはんだ膜と、上記上部電極に電気的に接続された半導体素子とを具備し、上記金属ベース又は上記下部電極の少なくともいずれか一方に、上記金属ベースと上記絶縁基板との距離を一定に保持する突起が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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