特許

J-GLOBAL ID：200903062853695174

半導体露光装置及び多重結像露光法の最適化法

発明者： 植松 政也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-188968
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031734
出願日： 1994年07月19日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】FLEXステッΔZの最適値を自動的に求め得る多重結像露光法の最適化法を提供する。【構成】多重結像露光法の最適化法は、(イ)投影光学系から基板ステージ上に配置されたフォトクロミック材料までの距離初期値をZ0とし、投影光学系からかかるフォトクロミック材料までの距離ZをZ0+ΔZ×i(但し、i=0,1,2,・・,K)に変えて、レチクルのパターン光学像をフォトクロミック材料に(K+1)回結像させる多重結像露光法によってフォトクロミック材料へパターンの潜像を形成する工程を、ΔZの値を一定として、距離初期値Z0の値を変化させてM回繰り返し、M個のパターン潜像を形成し、(ロ)前記(イ)の工程をΔZを変えてN回繰り返し、M×(N+1)個のパターン潜像を形成し、(ハ)M×(N+1)個のパターン潜像を光学的に観察し、その結果に基づき最適なΔZの値を求める。

請求項（抜粋）：

(イ)投影光学系用光源と、(ロ)投影光学系用光源からの光をレチクルに照射することによって得られる光学像を基板に結像させるための投影光学系と、(ハ)基板を載置する基板ステージと、(ニ)基板ステージ上に配置されたフォトクロミック材料、(ホ)投影光学系用光源からの光をレチクルに照射することによって得られたフォトクロミック材料に形成されたパターン潜像を光学的に観察するための潜像検出系、を具備したことを特徴とする半導体露光装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03B 27/72 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 525 C ,  H01L 21/30 525 N