特許
J-GLOBAL ID：200903062855280281
半導体メモリ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-164385
公開番号（公開出願番号）：特開2000-030475
出願日： 1999年06月10日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 複数のセンスアンプを有するにもかかわらずチップサイズの面積が増加せず、かつ複数の基準セルを有し信頼性のある読み出し動作を行う半導体メモリ装置を提供する。【解決手段】 複数のメモリセルを有する複数のメモリセルブロック100と、これら複数のメモリセルブロック100に連結される複数のセンスアンプ300と、基準値を生成し、生成した基準値をセンスアンプ300に供給するための基準ブロック500とを有し、各々のセンスアンプ300は、各々のメモリセルブロック100に結合され、基準ブロック500は所定の基準値を保持するための基準セル520と、この基準セルの状態に反応する電流回路510とを含む。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルを有する複数のメモリセルブロックと、前記メモリセルブロックに個々に連結される複数のセンスアンプと、基準値を生成し、生成した前記基準値を前記センスアンプへ供給する基準ブロックと、を具備し、前記基準ブロックは所定の基準値を保持するための基準セルと、前記基準セルの状態に反応する電流回路とを有することを特徴とする半導体メモリ装置。
引用特許：
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