特許
J-GLOBAL ID：200903062856089232
半導体搭載用回路基板
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-206150
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029491
出願日： 1991年07月24日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 シリコンチップとの高い接合信頼性を有する半導体搭載用回路基板を提供する。【構成】 本発明の半導体搭載用回路基板は、金属基板に絶縁層を介して複数の異種金属層からなる導電層を積層しており、この異種金属層の内部にモリブデン層を有しているので、シリコンチップに近い熱膨張率を有する配線回路を作ることができる。この半導体搭載用回路基板は耐熱衝撃性が強く、シリコンチップを固定ている半田割れを防止することができる。
請求項（抜粋）：
金属基板に絶縁層を介して複数の異種金属層からなる導電層を積層してなる半導体搭載用基板において、該導電層の内部にモリブデン層を有することを特徴とする半導体搭載用回路基板。
IPC (4件)：
H01L 23/14
, H05K 1/05
, H05K 1/09
, H05K 3/38
