特許
J-GLOBAL ID：200903062860138019
高電圧スイッチ回路
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-232125
公開番号（公開出願番号）：特開平8-079035
出願日： 1994年09月01日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 高電圧スイッチ回路を構成する直列接続されたFETの内の最終段のFETの飽和電圧を低くすることにより、その損失を低減し、破損事故を防止することのできる高電圧スイッチ回路を提供する。【構成】 ゲートに印加される制御信号により導通が制御される初段のFETQ1と、このFETのドレイン側に順次直列に接続されこのFETの動作に追従して動作する複数個のFETQ2〜Q8からなる高電圧スイッチ回路において、上記複数個のFETの内の最終段のFETQ8のドレインにツェナダイオードZを直列接続する。。
請求項（抜粋）：
ゲートに印加される制御信号により導通が制御される初段のFETと、このFETのドレイン側に順次直列に接続されこのFETの動作に追従して動作する複数個のFETからなる高電圧スイッチ回路において、上記複数個のFETの内の最終段のFETのドレインに非線形インピーダンス素子を直列接続したことを特徴とする高電圧スイッチ回路。【請求項1】 ゲートに印加される制御信号により導通が制御される初段のFETと、このFETのドレイン側に順次直列に接続されこのFETの動作に追従して動作する複数個のFETからなる高電圧スイッチ回路において、上記複数個のFETの内の最終段のFETのドレインに抵抗を直列接続したことを特徴とする高電圧スイッチ回路。
IPC (2件)：
引用特許：
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