特許

J-GLOBAL ID：200903062862693478

メタライズ下地層形成用ガラス組成物

発明者： 野上 芳人 ,  山下 芳文 ,  福田 桂子 ,  森津 幸和
出願人/特許権者： 奥野製薬工業株式会社
代理人 (1件)： 三枝 英二 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-135018
公開番号（公開出願番号）：特開平5-330958
出願日： 1992年05月27日
公開日（公表日）： 1993年12月14日
要約：

【要約】【構成】 (a)SiO2分4〜80重量%、(b)B2O3分1〜40重量%、(c)(R1)2O分、(R2)O分、(R3)O2分および(R4)2O3の少なくとも1種(ただし、R1はLi、NaおよびKの少なくとも1種であり、R2はMg、Ca、Ba、Zn、CdおよびPbの少なくとも1種であり、R3はTi、ZrおよびMnの少なくとも1種であり、R4はAlおよび/又はBiである。)1〜80重量%からなるメタライズ下地層形成用ガラス組成物。セラミックス板の表面にこのガラス組成物によりガラス層を形成させ、その上にメタライズして導電体層を形成させる。【効果】 セラミックス板と導電体層とを強固に接合する。

請求項（抜粋）：

(a)SiO2分含有量4〜80重量%、(b)B2O3分含有量1〜40重量%、(c)(R1)2O分、(R2)O分、(R3)O2分及び(R4)2O3分の少なくとも1種の含有量1〜80重量%(ただし、R1はLi、NaおよびKの少なくとも1種であり、R2はMg、Ca、Ba、Zn、CdおよびPbの少なくとも1種であり、R3はTi、ZrおよびMnの少なくとも1種であり、R4はAlおよび/又はBiである。)からなるメタライズ下地層形成用ガラス組成物。

IPC (2件)：

C04B 41/88 ,  C03C 3/091