特許
J-GLOBAL ID：200903062867996282
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-283385
公開番号（公開出願番号）：特開平5-005996
出願日： 1991年10月30日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【構成】 ポリアミド酸とナフトキノンジアジド化合物を主成分とする感光性組成物からポリイミド膜パタ-ンを形成する際、露光後に高温での熱処理を行なって、次いでアルカリ溶液を用いて現像する。【効果】 ポリアミド酸の構造については特に限定されることなく、解像度の高いポリイミド膜パタ-ンの形成が可能となる。
請求項（抜粋）：
基板上に下記一般式[1]で表される反復単位を有するポリアミド酸とナフトキノンジアジド化合物を主成分とする樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の所望領域を露光する工程と、露光後樹脂層に 130〜 200°Cの熱処理を施す工程と、前記熱処理後に樹脂層を現像する工程と、現像された樹脂層を加熱して樹脂層中のポリアミド酸をイミド化する工程とを具備したことを特徴とするパターン形成方法。【化1】
IPC (6件)：
G03F 7/039 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/022
, G03F 7/027 514
, G03F 7/038 505
, H01L 21/312
