特許

J-GLOBAL ID：200903062876310474

レジストおよびこれを用いたパターン形成方法

発明者： 木原 尚子 ,  斎藤 聡 ,  若林 弘光 ,  中瀬 真 ,  大場 正幸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-055027
公開番号（公開出願番号）：特開平9-050127
出願日： 1996年03月12日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】【課題】 剛性の充分なレジスト膜を成膜することが可能で形成されるパターンの倒れ、折れ等を抑えることができ、結果的に超微細で高アスペクト比のパターンを高い感度で形成し得るレジストを提供する。【解決手段】 下記一般式(1)で表されるスルフォニル化合物と、酸により分解してアルカリ可溶性基を生成する置換基を有する化合物と、アルカリ可溶性化合物を含有する。【化1】(上記一般式(1)中、R1 は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ニトリル基または1価の有機基、R2 はハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ニトリル基または1価の有機基、R3 は2価の有機基を示し、nは2以上の整数である。)

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表されるスルフォニル化合物を含有することを特徴とするレジスト。【化1】(上記一般式(1)中、R1 は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ニトリル基または1価の有機基、R2 はハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ニトリル基または1価の有機基、R3 は2価の有機基を示し、nは2以上の整数である。)

IPC (3件)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭63-127237