特許

J-GLOBAL ID：200903062876717973

半導体圧力センサ

発明者： 山口 真市 ,  高橋 博文
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立オートモテイブエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-024986
公開番号（公開出願番号）：特開平5-223669
出願日： 1992年02月12日
公開日（公表日）： 1993年08月31日
要約：

【要約】【目的】小型,軽量で製造が容易な耐電波障害性の良い圧力センサを提供することを目的とする。【構成】半導体歪ゲージと、このゲージの出力を増幅する混成厚膜基板を、内側に金属被膜を施した樹脂モールドのハウジングとカバーに収納した圧力センサ。【効果】小型,軽量で製造が容易な耐電波障害性の良い圧力センサを提供できる。

請求項（抜粋）：

圧力を電気信号に変換する半導体歪ゲージと、該ゲージの出力を増幅する混成厚膜基板を、樹脂モールドハウジングに内蔵する半導体圧力センサにおいて、該ハウジングおよび樹脂モールドカバーの内側を、導電性の有る金属被膜で覆い耐電波障害性を持たしたことを特徴とする半導体圧力センサ。