特許
J-GLOBAL ID：200903062876829780
縦型半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮本 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-107067
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006801
出願日： 2003年04月10日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：
【課題】異なるガスを交互に流して成膜する縦型半導体製造装置において、炉容積が大きくても、スループットが向上できるようにする。【解決手段】縦型半導体製造装置は、反応炉20、真空ポンプ26に接続された排気配管40、成膜に寄与する第1のガスを供給する第1供給配管41、第2のガスを供給する第2供給配管38、第1、第2供給配管の供給及び排気配管40の排気を制御するバルブ22〜25、第1供給配管41に設けられたガス溜り21、制御手段29を備える。制御手段は、バルブ22〜25を制御して、第1のガスを第1供給配管41に流してガス溜り21に溜め、炉20の排気を止めた状態でガス溜り21に溜めた第1のガスを炉20に供給することにより、炉20を昇圧状態として基板Wを第1のガスに晒す。ポンプ26で炉20を排気しつつ第2のガスを第2供給配管38を介して炉20に供給することにより、基板を第2のガスに晒す。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
積層された複数の基板を収容する縦型の反応室と、
前記反応室を排気するための排気路と、
前記排気路を介して前記反応室を排気する真空排気手段と、
前記排気路を開閉する排気バルブと、
成膜に寄与する第1の種類のガスを前記反応室に供給する第1供給路と、
前記成膜に寄与する第2の種類のガスを前記反応室に供給する第2供給路と、
前記第1、第2供給路の開閉を行なうガス供給バルブと、
前記排気バルブ及び前記ガス供給バルブを制御して、第1の種類のガスを反応室に供給する際には前記反応室の排気を止めた状態で前記第1供給路から前記第1の種類のガスを前記反応室に供給することにより、該反応室内の前記複数の基板を前記第1の種類のガスに晒し、第2の種類のガスを反応室に供給する際には前記真空排気手段により前記反応室を排気しつつ前記第2の種類のガスを前記第2供給路を介して前記反応室に供給することにより、該反応室内の前記複数の基板を前記第2の種類のガスに晒す制御手段と
を備えた縦型半導体製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (19件)：
4K030AA03
, 4K030AA06
, 4K030AA13
, 4K030BA40
, 4K030FA01
, 4K030KA04
, 4K030KA05
, 5F045AA06
, 5F045AA08
, 5F045AB33
, 5F045AC05
, 5F045AC12
, 5F045BB08
, 5F045DP19
, 5F045DQ05
, 5F045EE18
, 5F045EE19
, 5F045EG05
, 5F045EH18
