特許
J-GLOBAL ID：200903062879054207
積層セラミック磁器素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-141302
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335176
出願日： 1992年06月02日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 電子機器などで発生するノイズ、パルス、静電気などの異常高電圧からIC,LSIなどの半導体素子および電子機器などの回路を保護するために使用される積層セラミック磁器素子及びその製造方法に関し、実用化が可能で比較的容易な製造方法で積層セラミック磁器素子を得ることを目的とするものである。【構成】 積層セラミック磁器素子の外部電極3部分にメッキ後、同素子を大気圧下または減圧下で活性度の高い水溶液中で放置し、さらにイオン交換水中で放置することにより、イオンを素子の外部に排除してフリーの状態のイオン濃度を低くすることができる。またコーティング膜を通ってイオンが侵入した場合でも同素子を大気圧下または減圧下で活性度の高い水溶液中で放置し、さらにイオン交換水中で放置することにより、イオンを素子の外部に排除して湿中負荷試験などで残留イオンが特性を劣化させるのを抑制することができる。
請求項（抜粋）：
セラミック層の主成分がSrTiO3またはSrの一部をca,Mg,Baで置換したもの及びこれらの混合物であり、内部電極および外部電極の主成分がAg,Pd,Ni,Cu,Zn,In,Ga,Na,k,Li,のうち少なくとも一種類以上の金属またはそれらの合金あるいは混合物である積層セラミック磁器素子。
IPC (5件)：
H01G 4/12 361
, H01G 4/12 358
, H01G 4/30 301
, H01G 4/30
, H01G 4/30 311
