特許

J-GLOBAL ID：200903062880452623

半導体素子の実装方法

発明者： 山▲崎▼ 康男
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-167421
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313023
出願日： 1990年09月03日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】半導体素子を基板上に実装する際に、半導体素子と基板との接続信頼性を良好なものにすることで、高接続信頼性の得られた半導体装置を提供することにある。【解決手段】半導体素子と実装される基板との間に、自己復元力を有する導電粒子の含有する樹脂を介在させ、その導電粒子を一定量(粒子径の10〜50%)押し潰すとように、しかも半導体素子と基板との間に介在する導電粒子が一列になるまで加圧して接続する。

請求項（抜粋）：

半導体素子上の電極と、基板上に前記電極と対応して形成された配線パターンとを対向させて接続する構造の半導体装置において、前記電極と前記配線パターンとの間に導電粒子を介在させ、さらに前記導電粒子を粒径10〜50%潰したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 604 E ,  H01L 21/92 604 H

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-133936