特許

J-GLOBAL ID：200903062883571488

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 北沢 良幸
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-217928
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069503
出願日： 1992年08月17日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 液晶表示装置の熱酸化膜を用いた薄膜トランジスタに関する製造方法【構成】 島状にパターニングしたシリコン膜上に酸化シリコン膜を堆積した後、シリコン膜および酸化シリコン膜を同時に熱酸化することにより、ゲート熱酸化膜を形成する。

請求項（抜粋）：

石英基板上にシリコン膜を堆積しパターニングする工程と、酸化シリコン膜を堆積する工程と、引き続き前記酸化シリコン膜下の前記シリコン膜をを熱酸化する工程と、ゲート電極用の薄膜を堆積しパターニングを施す工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭59-040580
  
• 特開昭59-005672
  
• 特開平2-194620
  
• 特開平3-120871