特許

J-GLOBAL ID：200903062883808046

サイリスタの製造方法およびサイリスタ

発明者： 秋山 肇 ,  本田 憲一 ,  森田 洋右 ,  吉川 正人 ,  大島 武
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  日本原子力研究所
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-061364
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260640
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】 少数キャリアのライフタイムを制御することで、オン電圧とターンオフ時間のトレードオフ関係を改善して、高周波化、低損失化を達成したサイリスタの製造方法およびサイリスタを提供する【解決手段】 カソード電極106が設けられた面および、アノード電極105が設けられた面の上部空間には、それぞれ金属板で形成された遮蔽体110および120が配設されている。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1半導体層、第2導電型の第2半導体層、第1導電型の第3半導体層が順に積層され、該第3半導体層の表面内に、選択的に形成された第2導電型の第4半導体層を有し、前記第3半導体層のみに接して設けられたゲート電極と、少なくとも前記第4半導体層に接して設けられた第1電極と、前記第1半導体層のみに接して設けられた第2電極とを備えたサイリスタの製造方法であって、(a)前記第1電極側から所定のエネルギーを有する重イオンを照射し、前記第2半導体層内の前記第1電極よりの位置に、少数キャリアの寿命を短縮する第1のイオン注入領域を形成する工程と、(b)前記第2電極側から前記所定のエネルギーを有する重イオンを照射し、前記第2半導体層内の前記第2電極よりの位置に、少数キャリアの寿命を短縮する第2のイオン注入領域を形成する工程とを備えるサイリスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/744 ,  H01L 21/322 ,  H01L 29/74 ,  H01L 21/332

FI (4件)：

H01L 29/74 C ,  H01L 21/322 K ,  H01L 29/74 F ,  H01L 29/74 301