特許
J-GLOBAL ID：200903062884300763
液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-087160
公開番号（公開出願番号）：特開平6-301054
出願日： 1993年04月14日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 アルミニウムのヒロックが発生しなく、かつアレイプロセス整合性が高い。【構成】 絶縁基板上にゲート電極を兼ねる走査線を形成する工程と、ゲート電極上に所定の絶縁層を介して半導体層を形成する工程と、この半導体層上にソース電極を兼ねる信号線および表示電極と接続されたドレイン電極とを形成する工程とからなる液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法において、ゲート電極を兼ねる走査線を形成する工程が、アルミニウムを主成分とする金属層の表面に高融点金属層を積層する工程と、アルミニウムを主成分とする金属層の表面と高融点金属層の界面で合金層を形成すると同時に高融点金属層を酸化物層とする工程と、この酸化物層を絶縁基板上より除去する工程とからなる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上にゲート電極を兼ねる走査線を形成する工程と、前記ゲート電極上に所定の絶縁層を介して半導体層を形成する工程と、前記半導体層上にソース電極を兼ねる信号線および表示電極と接続されたドレイン電極とを形成する工程とからなる液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法において、前記ゲート電極を兼ねる走査線を形成する工程が、アルミニウムを主成分とする金属層の表面に高融点金属層を積層する工程と、前記金属層の表面と前記高融点金属層の界面で合金層を形成すると同時に前記高融点金属層を酸化物層とする工程と、前記酸化物層を前記絶縁基板上より除去する工程とからなることを特徴とする液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01L 29/40
, H01L 29/784
