不揮発性半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-122014
公開番号（公開出願番号）：特開平6-309890
出願日： 1993年04月26日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】制御信号に応じて、単位メモリセルに4値のデータの読み書きを行うか、2値のデータの読み書きを行うかを切り換え可能なEEPROMを提供する。【構成】選択されたメモリセル243〜274に対し、制御入力端子109に入力された制御信号がハイの場合、プログラム回路121において、互いに異なる4つの電圧値、例えば、22V、20V、18V、16Vのうちの1つを選択し、マルチプレクサ129を介して、選択されたビット線134〜141に印加する。これにより、選択されたメモリセル243〜274に4値のデータを書き込む。制御入力端子109に入力された制御信号がローの場合、プログラム回路121において2値、例えば、22Vと16Vの何れか一方の電圧を、選択されたビット線134〜141に印加し、選択されたメモリセル243〜274に2値のデータを書き込む。読み出し時には、制御入力端子109に入力された制御信号に応じ、4値のセンス回路2か2値のセンス回路1を選択する。

請求項（抜粋）：

電気的にプログラムが可能な不揮発性を有する半導体記憶装置において、マトリクス状に配され且つ各々が複数の記憶レベルにプログラム可能な複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルから少なくとも1つのメモリセルを選択するメモリセル選択回路と、選択されたメモリセルに対し、所定の選択信号に応じて、2値のデータの読み出し又は書き込みを行う第1のモード及び4値以上のデータの読み出し又は書き込みを行う第2のモードを備えたリード/ライト回路とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 16/06 , G11C 16/04 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

G11C 17/00 309 Z , G11C 17/00 308 , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平2-040198
特開昭61-117796
特開昭59-063095

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